|
个人简况
马通达，工学博士，正高级工程师，现任国标（北京）检验认证有限公司副总经理。1999年硕士毕业于中国科学院金属研究所，2006年于原北京有色金属研究总院获工学博士学位，历任分析测试工程师、室主任、副所长。
兼任国家有色金属及电子材料分析测试中心副主任、中国有色金属学会理化检验学术委员会秘书长、国家材料腐蚀与防护科学数据中心学术委员会委员、全国微束分析标准化技术委员会委员、全国金属与非金属覆盖层标准化委员会委员、中国合格评定国家认可委员会（CNAS）技术评审员。
主持完成国家新材料测试评价平台-有色金属材料行业中心建设项目，主持或骨干完成国家科技部创新方法工作项目、国家自然科学基金重点项目、国家科技部国际热核聚变堆（ITER）计划专项、国家重点研发计划重点专项等十余项；目前参与承担“两机”专项1项、NQI重点专项1项。先后开展了硅锗、应变硅、氮化镓等半导体材料的制备与表征、应变弛豫机制与缺陷行为、异质结界面扩散与微结构特征的跨尺度表征工作，极端条件下（电子辐照、高低温）半导体材料、核反应堆用先进有色金属结构材料的辐照损伤研究及高耐蚀合金管材腐蚀行为与机理研究。领导完成高技术船舶用铜镍合金管材、工程用钒合金部件等重要失效分析工作。
在国内外学术刊物上发表学术论文40余篇，参与出版译著1部，授权专利14件，参与制修订团体标准9项，获中国有色金属工业科技进步一等奖1项、二等奖3项，欧洲材料学会青年科学家奖1项。
代表性论文：
1. T.D.Ma, H.L.Tu, B.L.Shao, A.S.Liu, G.Y.Hu. Investigation of Si/SiGe/Si on Si-on-insulator by high resolution electron microscopy and synchrotron radiation double-crystal topography. [J]. Materials Science and Engineering: B, 2005, 124-125, 148-152.
2. T.D.Ma, H.L.Tu, G.Y.Hu, B.L.Shao, A.S.Liu. X-ray triple-axis diffractometry investigation of Si/SiGe/Si on silicon-on-insulator subjected to in situ low-temperature annealing. [J]. Applied Surface Science, 2006, 253(1), 124-127.
3. X.Fu, T.Ma, C.Zhang, L.Zhang, Z.Zhang, X.Wang, H.Ma, H.Tu. Effects of High-energy Electron Irradiation on Blue Luminescence of GaN heterostructure. [J]. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, 2012, 286, 138-140.
4. Yong Xin, Tongda Ma, Xin Ju. In-situ Observation of Point Defect and Precipitate Evolvement of CLAM Steel under Electron Irradiation. [J]. Journal of Materials Science & Technology, 2013, 29(5), 467-470.
5. SHI Bing-xiao, TAN Zhen-jiang, CAO Dong-dong, JIA Rong-guang, MA Tong-da. Effect of grain orientation on corrosion morphology of copper-Ni alloy. [J]. The Chinese Journal of Nonferrous Metals, 2022, 32(4), 1025-1035.
|