水平砷化镓


产品介绍

有研总院利用自主知识产权技术,成功建设了国内最大的水平砷化镓单晶生产能力,GaAs产品质量达到国际先进水平,广泛应用于红外及高亮度红、橙、黄色发光二极管、半导体激光器领域。


规格与参数

产品名称

GaAs单晶

掺杂剂

Si

Zn

载流子浓度 cm-3

(2~50)×1017

(2~50)×1018

迁移率 cm2/v.s

1000~3500

50~100

EPD cm-2

<5000, <1000

<10000

直径 mm

50.8±0.5, 62±0.5

50.8±0.5

主、次参考面长度 mm

16±1、7±1

厚度 µm

(210~400)±20

晶向

(100)±0.5°,(100)偏(111)A(2°~15°)

晶片表面状态

切片,研磨片,腐蚀片,抛光片

TTV µm

<10

Warp µm

<10


联系方式

联系电话:(+86)10-82241143

传        真:(+86)10-62013942

电子邮箱:guorui-zhas@163.com

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